ISZ230N10NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ230N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IQE020N04LM6CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISZ230N10NM6ATMA1 | IQE020N04LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 trench |
| पैकेज | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C (junction) | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | — | 166 A |
| Maximum RDS(on) | — | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 107 W |
| पिन काउंट | — | 9 |
| Lead-Free | — | Yes |