K3LKBKB0BM-MGCP vs K3K8K80BM-MGCP तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3LKBKB0BM-MGCP द्वारा Samsung Electronics और K3K8K80BM-MGCP द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K3LKBKB0BM-MGCP K3LKBKB0BM-MGCP - 32Gbit LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKBKB0BM-MGCP - 32Gbit LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKBKB0BM-MGCP ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K3K8K80BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3K8K80BM-MGCP ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K3LKBKB0BM-MGCP K3K8K80BM-MGCP
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $46.62 —
मेमोरी प्रकार DRAM (LPDDR5 SDRAM) LPDDR5 SDRAM (DRAM)
मेमोरी आकार 32 Gbit —
संगठन 1G x 32 2G x 32
डेटा दर 6400 Mbps per pin 6400 Mbps
Supply Voltage Rails 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
इंटरफ़ेस LPDDR5 x32 LPDDR5 (CMOS)
पैकेज FBGA-315 FBGA-315 (PBGA315)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -25C to +85C -25C to +85C
Technology Generation LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Density per Package 4 GB (32 Gbit) —
Refresh Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) —
Application Segment Mobile, embedded, industrial computing —
Standby / Deep Sleep LPDDR5 deep-sleep power states —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] —
Access Time / Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Density — 64 Gb
Supply Voltages — 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V
Technology — CMOS
Memory Category — Volatile DRAM
Lead Free — Yes
Application Class — Specialized ICs / Memory
I/O Width — 32-bit

डेटाशीट और संसाधन

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