K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WE-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WD-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel, x16 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | D-die |
| पैकेज | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Terminal Count | 96 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free suffix) |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| डेटा दर | — | 2133 MT/s |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |