K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G165WE-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4A4G165WD-BCPB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| ממשק | Parallel, x16 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | D-die |
| מארז | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Terminal Count | 96 | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free suffix) |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| קצב נתונים | — | 2133 MT/s |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |