K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WE-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| انٹرفیس | Parallel, x16 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | D-die |
| پیکیج | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Terminal Count | 96 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free suffix) |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2133 MT/s |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |