K4A4G165WF-BCRC vs K4A4G165WD-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WF-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WD-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WF-BCRC | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $17.08 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR4-2400 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| पैकेज | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Die Type | Samsung 4Gb F-die | — |
| Bank / Bank Group Architecture | 8 banks, bank groups | — |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| CRC / CA Parity | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic ODT | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (lead-free suffix) |
| डेटा दर | — | 2133 MT/s |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | D-die |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |