K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BITD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BITD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| पैकेज | 78-pin FBGA | 78FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| डेटा दर | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | 2666 Mbps |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40°C to +95°C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| पिन की संख्या | — | 78 |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Lead-Free | — | Yes |