K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BITD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BITD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| מארז | 78-pin FBGA | 78FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| קצב נתונים | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | 2666 Mbps |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40°C to +95°C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| מספר פינים | — | 78 |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| ממשק | — | Parallel |
| Lead-Free | — | Yes |