K4A8G085WC-BIWE vs MT40A512M16JY-07EAIT:B तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WC-BIWE द्वारा Samsung Electronics और MT40A512M16JY-07EAIT:B द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WC-BIWE | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 1G x 8 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| पैकेज | 78-FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| इंटरफ़ेस | POD-12 | Parallel |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS लेटेंसी | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |
| RoHS | — | Compliant |