K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| डेटा दर | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +95C | 0C to +85C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |