K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| انٹرفیس | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96FBGA (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +95C | 0C to +85C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |