K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WC-BCRC द्वारा Samsung Electro-Mechanics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ सक्रियSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| श्रेणी | Memory ICs | EEPROM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $19.69 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2400 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (16-bit data bus) | Parallel, 16-bit DDR |
| पैकेज | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA (TFBGA) |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | C-die |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | 0 C to +95 C |
| विशेषताएँ | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| Memory Format | — | DRAM |