K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCRC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCPB توسط Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCRC
برند Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $19.69
نوع حافظه DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
نرخ داده DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) 2400 Mbps
ولتاژ تغذیه 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
رابط DDR4 (16-bit data bus) Parallel, 16-bit DDR
بسته‌بندی 96-ball FBGA (TFBGA) 96-FBGA (TFBGA)
Die Generation C-die (1Y nm class) C-die
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری 0C to +95C 0 C to +95 C
ویژگی‌ها Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Termination On-die termination (ODT), dynamic —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
سازمان — 512M x 16
Clock Frequency — 1333 MHz
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Memory Format — DRAM

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت