K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WC-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCPB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ Aktif
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $19,69
Bellek Türü DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Veri Hızı DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) 2400 Mbps
Besleme Gerilimi 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Arayüz DDR4 (16-bit data bus) Parallel, 16-bit DDR
Paket 96-ball FBGA (TFBGA) 96-FBGA (TFBGA)
Die Generation C-die (1Y nm class) C-die
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı 0C to +95C 0 C to +95 C
Özellikler Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Termination On-die termination (ODT), dynamic —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL Level] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Organizasyon — 512M x 16
Clock Frequency — 1333 MHz
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Memory Format — DRAM

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin