K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-XXL तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics और H5TC4G63CFR-xxL द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63CFR-xxL
ब्रांड Samsung Electronics SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $14.32 —
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35V
Clock Frequency 933 MHz —
डेटा दर 1866 Mbps/pin [DATA_NEEDED: data rate]
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
पैकेज FBGA-96 96-pin FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant Compliant
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 (with burst chop)
पिन की संख्या 96 96
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes
इंटरफ़ेस — DDR3L

डेटाशीट और संसाधन

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