K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-XXL השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics ו H5TC4G63CFR-xxL מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ פעיל
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63CFR-xxL
מותג Samsung Electronics SK hynix
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) $14.32 —
סוג זיכרון DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
ארגון 256M x 16 256M x 16
מתח אספקה 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35V
Clock Frequency 933 MHz —
קצב נתונים 1866 Mbps/pin [DATA_NEEDED: data rate]
טמפרטורת פעולה 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
מארז FBGA-96 96-pin FBGA
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant Compliant
השהיית CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 (with burst chop)
מספר פינים 96 96
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes
ממשק — DDR3L

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר