K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-XXL Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4B4G1646E-BYMA disebabkan oleh Samsung Electronics dan H5TC4G63CFR-xxL disebabkan oleh SK hynix. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63CFR-xxL
Merek Samsung Electronics SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) $14.32 —
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Tegangan Pemberi Arus 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35V
Clock Frequency 933 MHz —
Kadar Data 1866 Mbps/pin [DATA_NEEDED: data rate]
Suhu Operasi 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
Kemasan FBGA-96 96-pin FBGA
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant Compliant
Latensi CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 (with burst chop)
Bilangan Pin 96 96
Gambaran Suhu Operasi — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free — Yes
Boson Bebas — Yes
Antaramuka — DDR3L

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga