K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH086VP-BCWM द्वारा Samsung Electronics और K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 2G x 8 | 1G x 16 |
| डेटा दर | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.1 V | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | DRAM (volatile) |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| पैकेज | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 106-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Application Segment | Industrial | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | Active |
| RoHS स्थिति | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |