K4RAH165VB-BCQK vs PDRQLAKCDF12-00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics और PDRQLAKCDF12-00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रियSamsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4RAH165VB-BCQK | PDRQLAKCDF12-00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| डेटा दर | 4800 Mbps | 7200 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | 106-ball FBGA | 102-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| संगठन | — | 1G x 16 |
| Speed Bin | — | DDR5-7200 |
| Operating Voltage | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) |
| इंटरफ़ेस | — | JEDEC DDR5 |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |
| tCK / Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: clock cycle time] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |