K4RAH165VB-BCQK vs PDRQLAKCDF12-00 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH165VB-BCQK tarafından Samsung Electronics ve PDRQLAKCDF12-00 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktif
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RAH165VB-BCQK PDRQLAKCDF12-00
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Bellek Boyutu 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Veri Hızı 4800 Mbps 7200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
Özellikler Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 106-ball FBGA 102-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gbit
Organizasyon — 1G x 16
Speed Bin — DDR5-7200
Operating Voltage — 1.1 V
Generation — DDR5 (improved from 6400 Mbps generation)
Arayüz — JEDEC DDR5
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]
tCK / Cycle Time — [DATA_NEEDED: clock cycle time]
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin