K4RAH165VB-BCQK vs PDRQLAKCDF12-00 比較

詳細並排比較 K4RAH165VB-BCQK 由 Samsung Electronics 與 PDRQLAKCDF12-00 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ 啟用中
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PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4RAH165VB-BCQK PDRQLAKCDF12-00
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
記憶體容量 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
資料速率 4800 Mbps 7200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
功能特色 Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
工作溫度 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
封裝 106-ball FBGA 102-ball FBGA
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
生命週期狀態 Active —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gbit
組織 — 1G x 16
Speed Bin — DDR5-7200
Operating Voltage — 1.1 V
Generation — DDR5 (improved from 6400 Mbps generation)
介面 — JEDEC DDR5
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]
tCK / Cycle Time — [DATA_NEEDED: clock cycle time]
CAS 延遲 — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
MSL 等級 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

資料表與資源

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