K4RAH165VB-BCQK vs PDRQLAKCDF12-00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics و PDRQLAKCDF12-00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH165VB-BCQK | PDRQLAKCDF12-00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| معدل البيانات | 4800 Mbps | 7200 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| الميزات | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 106-ball FBGA | 102-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| التنظيم | — | 1G x 16 |
| Speed Bin | — | DDR5-7200 |
| Operating Voltage | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) |
| الواجهة | — | JEDEC DDR5 |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |
| tCK / Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: clock cycle time] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |