K4RBH086VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RBH086VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics और K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4RBH086VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
संगठन 2G x 8 —
डेटा दर 4800 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
इंटरफ़ेस DDR5 (CA bus, ODECC) —
On-die ECC Yes —
पैकेज FBGA-82 106-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] —
Power Supply Rails VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] Tray
मेमोरी आकार — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Error Correction — On-die ECC
विशेषताएँ — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
लाइफसाइकिल स्थिति — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

डेटाशीट और संसाधन

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