K4RBH086VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RBH086VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RBH086VB-BCQK | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| التنظيم | 2G x 8 | — |
| معدل البيانات | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| الواجهة | DDR5 (CA bus, ODECC) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| العلبة | FBGA-82 | 106-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] | — |
| Power Supply Rails | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] | Tray |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| الميزات | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| حالة دورة الحياة | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |