K4RBH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RBH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics और K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4RBH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
मेमोरी आकार 16 Gb 16 Gb
संगठन 1G x 16 —
डेटा दर 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
ऑपरेटिंग तापमान 0 C to +85 C 0C to +85C
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC On-die ECC
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] —
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] —
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
विशेषताएँ — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
पैकेज — 106-ball FBGA
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
लाइफसाइकिल स्थिति — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

डेटाशीट और संसाधन

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