K4RBH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RBH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RBH165VB-BCQK | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | 16 Gb |
| التنظيم | 1G x 16 | — |
| معدل البيانات | 4800 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Speed Grade | BCQK (4800 Mbps) | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | 0C to +85C |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Reset Function | Asynchronous reset | — |
| Error Correction | On-chip (on-die) ECC | On-die ECC |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] | — |
| Package Type | [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| الميزات | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| العلبة | — | 106-ball FBGA |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| حالة دورة الحياة | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |