K4RBH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RBH165VB-BCQK מאת Samsung Electronics ו K4RAH165VB-BCQK מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4RBH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
גודל זיכרון 16 Gb 16 Gb
ארגון 1G x 16 —
קצב נתונים 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
טמפרטורת פעולה 0 C to +85 C 0C to +85C
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC On-die ECC
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
מתח אספקה [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] —
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] —
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
תכונות — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
מארז — 106-ball FBGA
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
סטטוס מחזור חיים — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר