K4RBH165VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RBH165VB-BCWM द्वारा Samsung Electronics और K4RHE165VB-BCWM द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4RBH165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 24 Gb
संगठन 1G x 16 1G x 16
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Data Rate Class DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) —
पैकेज FBGA-106 106 FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C 0 C to +85 C
On-Die ECC Yes —
Write CRC Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Operating Mode DLL Enabled —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Yes —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
डेटा दर — 5600 Mbps
सप्लाई वोल्टेज — 1.1 V
Product Status — Mass Production
इंटरफ़ेस — Parallel, DDR5
Generation — DDR5
Application Segment — DDR5 memory modules and HPC systems
Speed Grade Suffix — BCWM
tCK (Clock Period) — [DATA_NEEDED: clock period]
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS latency]

डेटाशीट और संसाधन

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