K9F6408U0B vs K9F2808Q0B तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9F6408U0B द्वारा Samsung Electronics और K9F2808Q0B द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung
K9F2808Q0B ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9F6408U0B | K9F2808Q0B |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | उत्पादन बंद |
| Memory Organization | 8M x 8 bit (64Mbit) | — |
| मेमोरी प्रकार | NAND Flash | SLC NAND Flash (parallel) |
| Operating Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 1.7 V to 1.95 V |
| Access Time / Cycle Time | 50 ns | — |
| पैकेज | 44-TSOP2 | 63-pin TBGA |
| Page Size | 528 bytes (512 data + 16 spare) | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block organization from datasheet] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program/Erase Endurance | 100K program/erase cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| इंटरफ़ेस | 8-bit multiplexed command/address/data I/O | 8-bit multiplexed address/data |
| Write Protect | Yes (WP pin) | — |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B open-drain) | — |
| Operating Temperature (TCB0 grade) | 0C to 70C | — |
| Operating Temperature (TIB0 grade) | -40C to 85C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Production Status (per datasheet) | Mass Production (legacy; now obsolete) | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| संगठन | — | 16M x 8 |
| Read Access Speed | — | 50 ns |
| Cell Type | — | SLC (1 bit/cell) |
| Temperature Grade | — | C (commercial), I (industrial) |
| Typical Read Current (Icc1) | — | [DATA_NEEDED: Icc1] |
| Production Status | — | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete |