M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FB55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F200FT55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F200FB55N3F2 M29F200FT55N3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
संगठन 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 128 K (x16 mode) 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Top Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
पैकेज 48-TSOP I 48-pin TSOP
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR suffix)
इंटरफ़ेस Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

डेटाशीट और संसाधन

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