M29F200FT55N3E2 vs M29F200FB55N3E2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FT55N3E2 द्वारा Micron Technology और M29F200FB55N3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F200FT55N3E2 M29F200FB55N3E2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय उत्पादन बंद
मेमोरी प्रकार NOR Flash NOR Flash, Parallel
Memory Organization 256K x 8 / 128K x 16 —
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
इंटरफ़ेस Parallel Parallel, 8/16-bit selectable
Access Time 55 ns 55 ns
सप्लाई वोल्टेज 5 V —
Number of Words 128 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Top boot block —
Program / Erase Embedded program/erase controller —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
पैकेज 48-TSOP I —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bus Mode Byte (x8) / Word (x16) selectable —
संगठन — 256K x 8 / 128K x 16
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 48-pin TSOP I
Memory Cell Type — SLC NOR

डेटाशीट और संसाधन

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