M29F800FT55M3E2 vs M29F800FT55M3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FT55M3E2 द्वारा Micron Technology और M29F800FT55M3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ सक्रिय
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M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी EEPROM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash Parallel NOR Flash
मेमोरी आकार 8 Mbit —
संगठन 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
इंटरफ़ेस Parallel Parallel, x8/x16 selectable
Access Time 55 ns 55 ns
सप्लाई वोल्टेज 5 V —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
पैकेज 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOP)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (E suffix) Compliant (lead-free suffix F2)
Density 8389 kbits 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Packaging — Tape & Reel (TR)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

डेटाशीट और संसाधन

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