M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W160EB70N3E द्वारा Micron Technology और M29W160ET70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ सक्रिय
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M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W160EB70N3E M29W160ET70N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
मेमोरी आकार 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit
संगठन 2M x8 / 1M x16 2M x 8 / 1M x 16
Access Time 70 ns 70 ns
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज / केस 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
सप्लाई वोल्टेज — 3 V / 3.3 V (nominal)
Boot Block Location — Top boot
पैकेज — 48-TSOP
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Bus Width Selection — BYTE# pin, x8 or x16
Sector Protection — Hardware boot block protection
Programming Type — Automatic program and erase
Packing — Tray (RoHS-compliant package, standard packing)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]

डेटाशीट और संसाधन

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