M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W160EB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W160ET70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W160EB70N3E M29W160ET70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
Bellek Boyutu 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit
Organizasyon 2M x8 / 1M x16 2M x 8 / 1M x 16
Access Time 70 ns 70 ns
Arayüz Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket / Kas 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Besleme Gerilimi — 3 V / 3.3 V (nominal)
Boot Block Location — Top boot
Paket — 48-TSOP
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Bus Width Selection — BYTE# pin, x8 or x16
Sector Protection — Hardware boot block protection
Programming Type — Automatic program and erase
Packing — Tray (RoHS-compliant package, standard packing)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin