M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W160EB70N3E מאת Micron Technology ו M29W160ET70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W160EB70N3E M29W160ET70N3E
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
גודל זיכרון 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit
ארגון 2M x8 / 1M x16 2M x 8 / 1M x 16
Access Time 70 ns 70 ns
ממשק Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז / Case 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
מתח אספקה — 3 V / 3.3 V (nominal)
Boot Block Location — Top boot
מארז — 48-TSOP
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Bus Width Selection — BYTE# pin, x8 or x16
Sector Protection — Hardware boot block protection
Programming Type — Automatic program and erase
Packing — Tray (RoHS-compliant package, standard packing)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר