MD7P19130HR3 vs MD7P19130HSR3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MD7P19130HR3 द्वारा NXP Semiconductors और MD7P19130HSR3 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MD7P19130HR3 | MD7P19130HSR3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | LDMOS (Dual), N-Channel Enhancement-Mode Lateral | LDMOS (Dual), Lateral N-Channel RF Power MOSFET |
| Frequency Range | 1.93 GHz to 1.99 GHz | 1930 MHz to 1990 MHz |
| Typical Drain Voltage (VDD) | 28 V | — |
| Drain Voltage - Rated | 65 V | — |
| Quiescent Drain Current (IDQ) | 1250 mA | 1250 mA |
| Output Power (Avg, W-CDMA) | 40 W | — |
| Power Gain | 20 dB (typical at Pout = 40 W) | 20 dB typical at 1987.5 MHz |
| Drain Efficiency | 30% (typical at Pout = 40 W, W-CDMA) | 30% typical at 40 W, 1987.5 MHz |
| ACPR | -36 dBc at 5 MHz offset (3.84 MHz channel) | — |
| Input Signal PAR | 7.5 dB at 0.01% CCDF | 7.5 dB @ 0.01% probability on CCDF |
| Output Signal PAR | 6 dB at 0.01% CCDF | — |
| पैकेज / केस | NI-780-4 (Case 465M-01, Style 1), ceramic flange | NI-780S-4L (CASE 465M-01, STYLE 1), ceramic flanged |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (bolt-down flange) | Chassis-mount (bolt-down) with ceramic lid |
| Technology | Airfast LDMOS, lateral N-channel | NXP HV7 LDMOS |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: rohs status from manufacturer] | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) Rated | — | 65 V |
| Operating Drain Voltage (VDD) | — | 28 V (typical) |
| Output Power (Pout) | — | 40 W average (W-CDMA, single-carrier) |
| ACPR (5 MHz offset, 3.84 MHz channel) | — | -36 dBc typical |
| Device Output Signal PAR | — | 6 dB @ 0.01% probability on CCDF |
| Operating Mode | — | Single-carrier W-CDMA, Class AB |