MPQ2222A vs MPQ2222 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPQ2222A द्वारा Central Semiconductor और MPQ2222 द्वारा Central Semiconductor. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Central Semiconductor
MPQ2222A MPQ2222A - Quad NPN 40V 500mA Transistor Array | Central Semiconductor

MPQ2222A - Quad NPN 40V 500mA Transistor Array | Central Semiconductor

MPQ2222A ✓ सक्रिय
Central Semiconductor
MPQ2222 MPQ2222 - Quad NPN 40V 500mA Transistor Array | Central Semiconductor

MPQ2222 - Quad NPN 40V 500mA Transistor Array | Central Semiconductor

MPQ2222 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MPQ2222A MPQ2222
ब्रांड Central Semiconductor Central Semiconductor
श्रेणी Transistors Transistors
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार Quad NPN General Purpose BJT Array —
Number of Transistors 4 (independent) —
कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (Vceo) 40 V —
कलेक्टर-बेस वोल्टेज (Vcbo) 75 V [DATA_NEEDED: VCBO exact value, typically 60 V class per 2N2222 family - verify in datasheet]
एमिटर-बेस वोल्टेज (Vebo) 6.0 V [DATA_NEEDED: VEBO exact value]
Continuous Collector Current 500 mA —
Power Dissipation (total package) 650 mW 650 mW
Transition Frequency 200 MHz —
पैकेज TO-116 (14-pin DIP, through hole) 14-pin DIP (TO-116), Through Hole
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Configuration General Purpose Amplifier / Switch Quad NPN Transistor Array (4 independent devices)
Base Technology Bipolar (BJT) —
Polarity NPN —
Lead-Free Yes (PBFREE) —
Operating and Storage Junction Temperature [DATA_NEEDED: Operating and Storage Junction Temperature] [DATA_NEEDED: exact TJ range from datasheet]
Thermal Resistance (total package) [DATA_NEEDED: Thermal Resistance (total package)] [DATA_NEEDED: thermal resistance value]
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: DC Current Gain (hFE)] [DATA_NEEDED: hFE min/typ, higher in MPQ2222A grade]
Transistor Polarity — NPN Silicon
Collector-Emitter Voltage Rating — 40 V
Continuous Collector Current (per device) — 500 mA
ट्रांज़िशन फ्रीक्वेंसी (ft) — 200 MHz
Power Dissipation (per transistor) — [DATA_NEEDED: per-transistor dissipation value]
Marking — Full part number
RoHS स्थिति — Lead-free (PB Free suffix version available)

डेटाशीट और संसाधन

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