MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs K9F2808UOC-PCB0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT29F1G08ABAEAWP-IT:E द्वारा Micron Technology और K9F2808UOC-PCB0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | K9F2808UOC-PCB0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| मेमोरी आकार | 1 Gbit (128 MB) | — |
| संगठन | 128M x 8 | 16M x 8 bit |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | 528 bytes (512 main + 16 spare) |
| Block Size | 128 KB | 16 pages (16 KiB + 256 spare bytes) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +85C | Commercial / Industrial (C, I grade) |
| पैकेज | TSOP-48 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| मेमोरी प्रकार | — | NAND Flash (SLC, Small-Page) |
| Memory Density | — | 128 Mbit (16M x 8) |
| Operating Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Access Time | — | 50 ns |
| Package Options | — | 48-TSOP I, 48-WSOP1, 63-TBGA |
| I/O Bus Width | — | x8 |
| Command Set | — | Standard NAND (00h/01h/10h/30h/60h/D0h/50h) |
| Status Output | — | R/B# open-drain ready/busy |
| Technology Node | — | Samsung 2nd-generation SLC NAND |
| Cell Type | — | Single-Level Cell (SLC) |
| Programming Model | — | Page program, block erase |
| Lead-Free / RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status from Samsung datasheet] |