MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs K9F2808UOC-PCB0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT29F1G08ABAEAWP-IT:E بذریعہ Micron Technology اور K9F2808UOC-PCB0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | K9F2808UOC-PCB0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | NRND |
| میموری سائز | 1 Gbit (128 MB) | — |
| تنظیم | 128M x 8 | 16M x 8 bit |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| سپلائی وولٹیج | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | 528 bytes (512 main + 16 spare) |
| Block Size | 128 KB | 16 pages (16 KiB + 256 spare bytes) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +85C | Commercial / Industrial (C, I grade) |
| پیکیج | TSOP-48 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| میموری ٹائپ | — | NAND Flash (SLC, Small-Page) |
| Memory Density | — | 128 Mbit (16M x 8) |
| Operating Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Access Time | — | 50 ns |
| Package Options | — | 48-TSOP I, 48-WSOP1, 63-TBGA |
| I/O Bus Width | — | x8 |
| Command Set | — | Standard NAND (00h/01h/10h/30h/60h/D0h/50h) |
| Status Output | — | R/B# open-drain ready/busy |
| Technology Node | — | Samsung 2nd-generation SLC NAND |
| Cell Type | — | Single-Level Cell (SLC) |
| Programming Model | — | Page program, block erase |
| Lead-Free / RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status from Samsung datasheet] |