MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs K9F2808UOC-PCB0 So sánh
So sánh chi tiết song song của MT29F1G08ABAEAWP-IT:E bằng Micron Technology và K9F2808UOC-PCB0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | K9F2808UOC-PCB0 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | NRND |
| Kích thước bộ nhớ | 1 Gbit (128 MB) | — |
| Tổ chức | 128M x 8 | 16M x 8 bit |
| Giao diện | Parallel | — |
| Điện áp cung cấp | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | 528 bytes (512 main + 16 spare) |
| Block Size | 128 KB | 16 pages (16 KiB + 256 spare bytes) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +85C | Commercial / Industrial (C, I grade) |
| Hộp | TSOP-48 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Kiểu bộ nhớ | — | NAND Flash (SLC, Small-Page) |
| Memory Density | — | 128 Mbit (16M x 8) |
| Operating Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Access Time | — | 50 ns |
| Package Options | — | 48-TSOP I, 48-WSOP1, 63-TBGA |
| I/O Bus Width | — | x8 |
| Command Set | — | Standard NAND (00h/01h/10h/30h/60h/D0h/50h) |
| Status Output | — | R/B# open-drain ready/busy |
| Technology Node | — | Samsung 2nd-generation SLC NAND |
| Cell Type | — | Single-Level Cell (SLC) |
| Programming Model | — | Page program, block erase |
| Lead-Free / RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status from Samsung datasheet] |