MT40A1G8SA-062E vs K4A8G085WB-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A1G8SA-062E द्वारा Micron Technology और K4A8G085WB-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A1G8SA-062E | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $8.53 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| डेटा दर | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | BL8 |
| पैकेज | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Die Revision | — | B-die |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |