MT40A1G8SA-062E vs K4A8G085WB-BCTD مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A1G8SA-062E توسط Micron Technology و K4A8G085WB-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A1G8SA-062E K4A8G085WB-BCTD
برند Micron Technology Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $8.53
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
سازمان 1G x 8 1G x 8
نرخ داده 3200 MT/s (DDR4-3200) 2666 Mbps
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time (CAS Latency) CL22 at 3200 MT/s —
Row Access Time 19 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Internal Banks 16 banks (4 bank groups x 4 banks) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) —
دمای کاری 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) BL8
بسته‌بندی 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78 (78-ball TFBGA)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
ویژگی‌ها Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset
ولتاژ تغذیه — 1.2 V
Die Revision — B-die
Bank Structure — 16 banks, 4 bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT), dynamic ODT
Speed Bin — -BCTD (CL-tRCD-tRP bin)
Terminations — 78
JEDEC-30 Package Code — R-PBGA-B78
وضعیت RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت