MT40A1G8SA-062E vs K4A8G085WC-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A1G8SA-062E द्वारा Micron Technology और K4A8G085WC-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ अंतिम खरीदविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A1G8SA-062E | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | अंतिम बार खरीदें |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| डेटा दर | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | 0C to +95C |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | 8 (chop 4) |
| पैकेज | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Synchronous, parallel |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |