MT40A1G8SA-062E vs K4A8G085WC-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A1G8SA-062E מאת Micron Technology ו K4A8G085WC-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ רכישה אחרונההשוואת מפרטים
| פרמטר | MT40A1G8SA-062E | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | רכישה אחרונה |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | 0C to +95C |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | 8 (chop 4) |
| מארז | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| תכונות | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| סוג ממשק | — | Synchronous, parallel |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |