MT40A1G8SA-062E vs K4A8G085WC-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của MT40A1G8SA-062E bằng Micron Technology và K4A8G085WC-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Lần mua cuốiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MT40A1G8SA-062E | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Lần mua cuối |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | 0C to +95C |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | 8 (chop 4) |
| Hộp | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Tính năng | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Loại giao diện | — | Synchronous, parallel |
| Trạng thái RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |