MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WC-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A1G8SA-075:E द्वारा Micron Technology और K4A8G085WC-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ अंतिम खरीदविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | अंतिम बार खरीदें |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8Gbit (1G x 8) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| पैकेज | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | Yes |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 1G x 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Synchronous, parallel |