MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WC-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A1G8SA-075:E بذریعہ Micron Technology اور K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | آخری بار خریداری |
| میموری ٹائپ | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8Gbit (1G x 8) | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| پیکیج | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | Yes |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 1G x 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Synchronous, parallel |