MT40A256M16GE-075E:B vs K4A4G165WD-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A256M16GE-075E:B द्वारा Micron Technology और K4A4G165WD-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A256M16GE-075E:B | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $3.95 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2133 MT/s |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| पैकेज | 96-FBGA (9 x 14 mm) | FBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | D-die |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (lead-free suffix) |