MT40A256M16GE-075E:B vs K4A4G165WD-BCPB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A256M16GE-075E:B מאת Micron Technology ו K4A4G165WD-BCPB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT40A256M16GE-075E:B | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $3.95 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| קצב נתונים | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2133 MT/s |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| מארז | 96-FBGA (9 x 14 mm) | FBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | D-die |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| ממשק | — | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant (lead-free suffix) |