MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16LY-062E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16LY-075:E द्वारा Micron Technology और MT40A512M16LY-062E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16LY-075:E | MT40A512M16LY-062E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $6.65 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.6 GHz |
| CAS लेटेंसी | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage VDD/VDDQ | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| Supply Voltage VPP | — | 2.5 V (-125 mV, +250 mV) |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 2 groups of 4 (x16) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +95C (IT grade) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |